Оперативная память

Модуль памяти DDR3L 4GB Digma DGMAD31333004D RTL PC3-10600 CL9 DIMM 240-pin 1.35В dual rank Ret | RTL PC3-10600 CL9 DIMM 240-pin 1.35В dual rank Ret None. Категория: Компьютерные комплектующие/Операти

Оперативная память DDR4 Samsung 32Gb 3200Hz, CAS Latency 22, напряжение питания 1.2 В, объем модуля 32 Гб, поддерживает ECC, пропускная способность 25600 Мб/с.

Оперативная память Samsung, 32ГБ, 3200МГц, DIMM DDR4, регистровый модуль для серверов.

Оперативная память Samsung DDR4 8GB UNB SODIMM 3200 с низким профилем, CAS Latency 16 и напряжением питания 1.2 В.

Оперативная память Samsung 16GB DDR4 3200MHz DIMM обеспечивает высокую производительность и стабильность для серверного оборудования.

Оперативная память DDR3 Digma объемом 4 Гб с частотой 1333 МГц, CAS Latency 9, напряжением питания 1.5 В и пропускной способностью 10600 Мб/с. Не поддерживает ECC и не является низкопрофильной.

Оперативная память DDR4 Samsung 8Gb 3200MHz с CAS Latency 22, напряжением питания 1.2 В и объемом модуля 8 Гб.

Оперативная память Samsung 8GB, модель M323R1GB4PB0-CWM0D, UDIMM DDR5-5600MHz.

Оперативная память Qumo объёмом 4 ГБ, тип DDR3, частота 1600 Гц. Известный производитель с опытом в изготовлении ОЗУ и внешних носителей.

Оперативная память DDR3 Digma объемом 8 Гб с частотой 1600 МГц, CAS Latency 11, напряжением питания 1.5 В и пропускной способностью 12800 Мб/с. Не поддерживает ECC и не является низкопрофильной.

Оперативная память DDR4 от Samsung, 32 ГБ, 3200 МГц, универсальна и надежна.

Оперативная память DDR5 Samsung 16Gb SO-DIMM, модель M425R2GA3BB0-CQK.

Оперативная память QUMO DDR4 SODIMM 16GB 3200MHz. Объём: 16Gb, частота: 3200 MHz, форм-фактор: SODIMM, скорость: PC-25600. Без поддержки ECC, Low Profile и Registered. CAS Latency (CL): 22. Напряжение

Оперативная память DDR4 Digma 8Gb 3200MHz с CAS Latency 22, напряжением питания 1.2 В, объемом 8 Гб, без поддержки ECC и пропускной способностью 25600 Мб/с.

Оперативная память DDR5 Samsung объёмом 64 ГБ, частота 4800 МГц, форм-фактор DIMM 288-контактный. Поддерживает ECC и Registered, CAS Latency (CL) 40.

Оперативная память Samsung M425R4GA3BB0-CQK — это модуль DDR5 с частотой 4800 МГц, предназначенный для ноутбуков и мини-ПК.

Оперативная память Samsung DDR4 16GB (M393A2K40EB3-CWE) соответствует высоким стандартам качества и стабильности, подходящая для серверных станций.

Планка оперативной памяти Digma 4Gb 2666MHz SO-DIMM повышает производительность компьютера и обеспечивает высокую стабильность.

Оперативная память Samsung DDR5 8GB SODIMM 5600MHz подходит для ноутбуков и мини-ПК, обеспечивая высокую производительность. CAS Latency (CL): 40.

Оперативная память DDR4 Samsung объемом 64 ГБ с частотой 3200 МГц обеспечивает высокую производительность и низкое энергопотребление. CAS Latency (CL) составляет 21, напряжение питания — 1.2 В. Низкоп

Оперативная память Samsung объемом 32GB, тип DDR5, частота 4800MHz. Включает регистр для усиления сигналов и исправление ошибок с помощью 8-битных сигналов четности. CAS Latency (CL): 40. Напряжение п

Оперативная память QUMO объемом 4 ГБ, форм-фактор SODIMM DDR3L, подходит для ноутбуков.

Оперативная память DDR4 Samsung 128GB 3200 МГц с CAS Latency 22 и напряжением питания 1.2 В, подходит для современных компьютерных систем.

Оперативная память Qumo объемом 4 Гб, частота 1600 МГц, CAS Latency 11, напряжение питания 1.5 В, пропускная способность 12800 Мб/с. Не поддерживает ECC и не является низкопрофильной.

Оперативная память DDR4 от Samsung, 16 ГБ, 3200 МГц, 288-контактный модуль RDIMM.

Модуль памяти DDR3 4GB Qumo QUM3U-4G1600C11 PC3-12800 1600MHz CL11 1.5V | PC3-12800 1600MHz CL11 1.5V None. Категория: Компьютерные комплектующие/Оперативная память/Оперативная память DDR3 1066/1333MH

Модуль памяти DDR4 16GB Qumo QUM4U-16G2666N19 PC4-21300 2666MHz CL19 1.2V | PC4-21300 2666MHz CL19 1.2V None. Категория: Компьютерные комплектующие/Модули памяти/Модули памяти DDR4 2666-2933MHz. Модел

Модуль памяти DDR3 4GB Qumo QUM3U-4G1600C11L PC3-12800 1600MHz CL11 1.35V | PC3-12800 1600MHz CL11 1.35V None. Категория: Компьютерные комплектующие/Оперативная память/Оперативная память DDR3 1600MHz.

Модуль памяти HP 16GB RDIMM PC3-12800R-11 2Rx4 (672631-B21) (for Gen8) | (for Gen8) None. Категория: Серверы и СХД/Комплектующие/Аксессуары и опции/Опции для серверов HPE/Модули памяти. Модель: 16GB R

Модуль памяти DDR4 4GB Digma DGMAS42666004S 2666MHz RTL PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank Ret | 2666MHz RTL PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank Ret None. Категория: Компьютер

Модуль памяти SODIMM DDR2 4GB Qumo QUM3S-4G1600K11L PC3-12800 1600MHz CL11 1.35V | PC3-12800 1600MHz CL11 1.35V None. Категория: Компьютерные комплектующие/Оперативная память/Оперативная память SODIMM

Модуль памяти SODIMM DDR4 Qumo, 8GB, частота 2666MHz, тайминги CL19, напряжение 1.2V. Произведено в Китае.

Модуль памяти Dell 64GB RDIMM с частотой 2933MT/s.

Модуль памяти DDR4 8GB Digma DGMAS42666008D 2666MHz RTL PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В dual rank Ret | 2666MHz RTL PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В dual rank Ret None. Категория: Компьютерные

Модуль памяти Corsair CMK16GX5M2B5200C40 объемом 16GB (2 модуля по 8GB) с частотой 5200MHz и таймингами CL40, напряжением 1,1V.

Модуль памяти DDR5 16GB Qumo QUM5U-16G4800N40 PC5-38400, 4800MHz, CL40, 1.1V | PC5-38400, 4800MHz, CL40, 1.1V None. Категория: Компьютерные комплектующие/Оперативная память/Оперативная память DDR5 UDI

Модуль памяти DDR5 32GB Qumo QUM5U-32G4800N40 PC5-38400, 4800MHz, CL40, 1.1V | PC5-38400, 4800MHz, CL40, 1.1V None. Категория: Компьютерные комплектующие/Оперативная память/Оперативная память DDR5 UDI

Модуль памяти DDR4 16GB Digma DGMAS43200016D PC4-25600 3200MHz CL22 1.2В dual rank Ret RTL | PC4-25600 3200MHz CL22 1.2В dual rank Ret RTL None. Категория: Компьютерные комплектующие/Модули памяти/Мод

Модуль памяти DDR4 32GB Digma DGMAS42666032D PC4-21300 2666MHz CL19 1.2В dual rank Ret RTL | PC4-21300 2666MHz CL19 1.2В dual rank Ret RTL None. Категория: Компьютерные комплектующие/Оперативная памят

Модуль памяти DDR4 32GB Digma DGMAD42666032D PC4-21300 2666MHz CL19 1.2В dual rank Ret RTL | PC4-21300 2666MHz CL19 1.2В dual rank Ret RTL None. Категория: Компьютерные комплектующие/Оперативная памят

Модуль памяти DDR3L 4GB Digma DGMAS31600004S PC3-12800 1600MHz CL11 1.35В single rank Ret RTL | PC3-12800 1600MHz CL11 1.35В single rank Ret RTL None. Категория: Компьютерные комплектующие/Оперативная

Модуль памяти DDR4 8GB Digma DGMAD43200008D PC4-25600 3200MHz CL22 1.2В dual rank Ret RTL | PC4-25600 3200MHz CL22 1.2В dual rank Ret RTL None. Категория: Компьютерные комплектующие/Оперативная память

Модуль памяти DDR4 8GB Digma DGMAD43600008S 3600MHz PC4-28800 CL18 288-pin 1.35В single rank Ret | 3600MHz PC4-28800 CL18 288-pin 1.35В single rank Ret None. Категория: Компьютерные комплектующие/Опер

Модуль памяти DDR3 8GB Digma DGMAS31600008D PC3-12800 1600MHz CL11 1.35В dual rank Ret RTL | PC3-12800 1600MHz CL11 1.35В dual rank Ret RTL None. Категория: Компьютерные комплектующие/Оперативная памя

Модуль памяти SODIMM DDR3L 8GB Qumo QUM3S-8G1600C11L PC3L-12800 1600Mhz CL11 1.35V RTL | PC3L-12800 1600Mhz CL11 1.35V RTL None. Категория: Компьютерные комплектующие/Оперативная память/Оперативная па

Модуль памяти DDR5 16GB Digma DGMAD56800016S 6800MHz PC5-54400 CL34 288-pin 1.4В single rank Ret | 6800MHz PC5-54400 CL34 288-pin 1.4В single rank Ret None. Категория: Компьютерные комплектующие/Опера

Модуль памяти DDR4 16GB Digma DGMAD43600016S 3600MHz PC4-28800 CL18 288-pin 1.35В single rank Ret | 3600MHz PC4-28800 CL18 288-pin 1.35В single rank Ret None. Категория: Компьютерные комплектующие/Мод

Модуль памяти DDR4 16GB Digma DGMAD43200016D 3200MHz RTL PC4-25600 CL22 DIMM 288-pin 1.2В dual rank Ret | 3200MHz RTL PC4-25600 CL22 DIMM 288-pin 1.2В dual rank Ret None. Категория: Компьютерные компл

Модуль памяти DDR3 4GB Digma DGMAS31600004D PC3-12800 1600MHz CL11 1.5В dual rank Ret RTL | PC3-12800 1600MHz CL11 1.5В dual rank Ret RTL None. Категория: Компьютерные комплектующие/Оперативная память

Модуль памяти SODIMM DDR4 32GB Digma DGMAS43200032D 3200MHz PC4-25600 CL22 260-pin 1.2В dual rank Ret | 3200MHz PC4-25600 CL22 260-pin 1.2В dual rank Ret None. Категория: Компьютерные комплектующие/Оп

Модуль памяти DDR5, 32GB (2x16GB), Acer Predator Hermes RGB, 6400MHz, CL32, 1.4V с вентилятором белого цвета.

Модуль памяти DDR4 16GB Digma DGMAD42666016D PC4-21300 2666MHz CL19 288-pin 1.2В dual rank Ret | PC4-21300 2666MHz CL19 288-pin 1.2В dual rank Ret None. Категория: Компьютерные комплектующие/Модули па

Модуль памяти DDR5, 32GB (2x16GB), Acer Predator Hermes RGB, 6400MHz, CL32, 1.4V с вентилятором.

Модуль памяти DDR4 16GB ADATA AX4U320016G16A-SW50 XPG SPECTRIX D50 RGB white PC4-25600 3200MHz CL16 радиатор 1.35V RTL | XPG SPECTRIX D50 RGB white PC4-25600 3200MHz CL16 радиатор 1.35V RTL None. Кате

1 шт., оперативная память 16 ГБ, 2400 МГц, 2RX4 | discount. 17%. ;commissionRate. 0.00%. ;shopId. 1100077015. ;

Новый оригинальный модуль памяти GD50HFU120C1S | discount. 0%. ;commissionRate. 0.00%. ;shopId. 1102597151. ;

1 шт. для Samsung RAM 16 Гб 2RX4 PC3L-12800R DDR3L 1600 REG, Серверная память | discount. 15%. ;commissionRate. 0.00%. ;shopId. 1100128125. ;

Память ADATA XPG D35G DDR4, ОЗУ для настольного компьютера с RGB-подсветкой, 3200 МГц, 8 ГБ, 16 ГБ, Память ОЗУ DDR4 с радиатором, 2,5-контактный модуль DDR4 SDRAM, память-чип | discount. 8%. ;commissi

Новая оперативная память SENLIFANG 647893-B21 647647-071 664688-001 4 Гб 1Rx4 для HP GEN8 | discount. 7%. ;commissionRate. 0.00%. ;shopId. 1126121. ;

Высококачественная оперативная память 8 Гб DDR4 от SK Hynix с 17% скидкой.

2 шт., флэш-память для Samsung 8 Гб DDR3L 1600 МГц ECC REG 2RX8 | discount. 15%. ;commissionRate. 0.00%. ;shopId. 1100141395. ;

Для диагностических микрон 32G 2RX4 2933 ECC REG DDR4 Серверная память | discount. 0%. ;commissionRate. 0.00%. ;shopId. 1040518. ;

Оперативная память 8 Гб DDR4 2133 МГц RECC REG ECC 2RX8 со скидкой 15%.

Амортизатор для Volvo 1076860 20721166 20960913 21137458 21376976 3172986 3198859 | discount. 0%. ;commissionRate. 0.00%. ;shopId. 914375. ;